به گزارش ساوت چاینا مورنینگ پست، شرکت «یوانجیوی» (Yuanjiwei) مستقر در شانگهای این خط تولید آزمایشی را رونمایی و اعلام کرد که این خط از مرحله «تیپاوت» (Tape-out) یا نهاییسازی طراحی تراشه پشتیبانی میکند و تمامی مراحل تولید، از آمادهسازی مواد دوبعدی تا یکپارچهسازی تراشه را پوشش میدهد.
یوانجیوی قصد دارد تا سال ۲۰۲۹ با استفاده از این خط تولید، تراشههایی با عملکرد معادل فناوری ۵ نانومتری تولید کند، بدون آنکه به دستگاههای لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) نیاز داشته باشد.
راهاندازی این خط تولید نشان میدهد فناوری نیمهرساناهای دوبعدی چین از مرحله تحقیقات آزمایشگاهی عبور کرده و وارد مرحله اعتبارسنجی مهندسی و تولید صنعتی شده است. این شرکت افزود که این دستاورد گامی مهم در مسیر خودکفایی چین در فناوریهای راهبردی به شمار میرود.
چین در واکنش به محدودیتهای صادراتی آمریکا، تلاشهای خود را برای توسعه فناوریهای جایگزین ساخت تراشه افزایش داده است. همزمان، صنعت جهانی نیمهرسانا نیز به دنبال فناوریهای جدید برای تولید تراشههای پیشرفته است، زیرا تراشههای سهبعدی مبتنی بر سیلیکون به محدودیتهای فیزیکی خود نزدیک شدهاند.
نیمهرساناهای دوبعدی یکی از امیدوارکنندهترین مسیرها برای توسعه نسل آینده تراشهها هستند و رقابت جهانی در این حوزه به سرعت در حال افزایش است.
در دهههای گذشته، تولیدکنندگان تراشه با کوچکتر کردن ترانزیستورها عملکرد تراشهها را بهبود دادهاند، اما این روند اکنون بهطور فزایندهای دشوارتر و پرهزینهتر شده است.
در مقایسه با تراشههای متداول مبتنی بر سیلیکون، نیمهرساناهای دوبعدی مزایای بالقوه متعددی دارند. ضخامت اتمی مواد دوبعدی امکان ساخت ترانزیستورهای کوچکتر را بدون نیاز به ساختارهای پیچیدهتر فراهم میکند.
ویژگی نشت جریان بسیار پایین در نیمهرساناهای دوبعدی میتواند مصرف انرژی تراشهها را به شکل قابل توجهی کاهش دهد. افزون بر این، ترکیب این فناوری با روشهایی مانند انباشت سهبعدی (3D Stacking) میتواند در آینده ظرفیت تراشههای حافظه را نیز افزایش دهد.
یکی از بزرگترین مشکلات تراشههای سیلیکونی متداول، پدیده نشت جریان است؛ یعنی حتی زمانی که ترانزیستور خاموش است، جریان الکتریکی همچنان از آن عبور میکند که با کوچکتر شدن ابعاد تراشهها، موجب افزایش مصرف انرژی و تولید گرما میشود.
یوانجیوی نقشه راه جاهطلبانهای برای تجاریسازی این فناوری ترسیم کرده است.
این شرکت قصد دارد تا پایان سال جاری فرایند تولیدی معادل فناوری ۹۰ نانومتری سیلیکون را ایجاد کند.
سپس شرکت برنامه دارد تا سال ۲۰۲۹، بدون اتکا به دستگاههای لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ، تجهیزاتی کلیدی برای تولید تراشههای پیشرفته که فروش آنها به چین از سوی آمریکا ممنوع شده است فرایند کاملاً بومی تولید تراشههای معادل ۵ نانومتری را توسعه دهد.
کارشناسان صنعت نیز خواستار همکاری نزدیکتر میان تمامی بخشهای زنجیره تأمین نیمهرساناهای دوبعدی، از جمله تولید مواد اولیه، تجهیزات، طراحی تراشه، ساخت و آزمون شدند و تأکید کردند که با توجه به پیچیدگی صنعت نیمهرسانا، هیچ شرکتی بهتنهایی قادر به تجاریسازی این فناوری نخواهد بود.
منبع: scmp
