شرکت حافظه چانگ شین (CXMT) اعلام کرد اولین تراشه حافظه با دسترسی تصادفی دینامیک (DRAM) با توان پایین‌تر Double Rate 5 (LPDDR5) چین را تولید کرده است، نسل جدیدی از تراشه‌های حافظه که اولین بار توسط سامسونگ الکترونیکس کره جنوبی در سال ۲۰۱۸ معرفی شد.
این پیشرفت در بحبوحه تشدید تحریم‌های آمریکا برای ممانعت از توسعه چین در تولید تراشه‌های پیشرفته به دست آمد و چین را قادر می‌سازد تا اتکای خود را به محصولات وارداتی که در ابزارهای الکترونیکی مانند تلفن‌های همراه و لپ‌تاپ استفاده می‌شوند، کاهش دهد.
بر اساس گزارش CXMT یکی از محصولات این شرکت، نسخه ۱۲ گیگابایتی است که دارای ۸ قالب با ظرفیت ۱۲ گیگابیت است و قبلاً توسط سازندگان گوشی‌های هوشمند چینی از جمله شیائومی و ترانسشن تأیید شده است.
پیشرفت تراشه حافظه LPDDR5 در زمانی اتفاق می‌افتد که چین پیشرفت آهسته اما ثابتی را در زمینه توسعه و فناوری‌های تولید نیمه‌رسانا دارد، اگرچه این کشور از دسترسی به سیستم‌های لیتوگرافی بسیار مهم شرکت هلندی ASML و همچنین برخی از تامین‌کنندگان ژاپنی محروم شده است.
در میان پیشرفت‌های اخیر، شرکت هوآوی با عرضه گوشی هوشمند Mate 60 Pro خود که توسط یک تراشه پیشرفته داخلی ساخته شده است، جهان را شگفت زده کرد.
لونگسون، توسعه‌دهنده واحد پردازش مرکزی چین، دهه‌ها تلاش کرد تا تراشه‌های خود را توسعه دهد، اخیرا یک تراشه ۳A6000 را معرفی کرد که به ادعای رسانه‌های دولتی با عملکرد پردازنده‌های اینتل از سال ۲۰۲۰ مطابقت دارد.
شرکت CXMT گفت تراشه حافظه جدید نسبت به DDR4X کم مصرف قبلی ۵۰ درصد بهبودی در سرعت و ظرفیت انتقال داده دارد و در عین حال مصرف انرژی را ۳۰ درصد کاهش می‌دهد. این تراشه تنوع محصولات شرکت را افزایش و حضور آن را در بازار رو به رشد دستگاه های تلفن همراه گسترش می‌دهد.
شرکت CXMT که در سال ۲۰۱۶ تأسیس شد، بهترین امید چین برای رقابت با غول‌های تراشه‌های حافظه کره جنوبی سامسونگ و SK Hynix و میکرون مستقر در ایالات متحده در بازار جهانی DRAM است.
این شرکت فاش نکرد که از چه فرآیندی برای ساخت تراشه جدید استفاده کرده است.
در ماه اکتبر، دفتر صنعت و امنیت ایالات متحده محدودیت‌های بیشتری را برای تجهیزات مورد نیاز برای تولید تراشه‌های کلیدی، از جمله لیتوگرافی، حکاکی، رسوب گذاری، کاشت و تمیز کردن تعیین کرد و تلاش‌های خود را برای محدود کردن توانایی چین در ساخت تراشه‌های ۱۴ نانومتری، DRAM 18 نانومتری و NAND سه بعدی در ۱۲۸ لایه دو برابر کرد.
شرکت CXMT همچنان با یک نبرد سخت در افزایش بازده تولید و رقابت در قیمت و کیفیت در مقایسه با محصولات مشابه موجود در بازار که توسط سازندگان DRAM کره جنوبی ساخته می‌شود، مواجه است.
سامسونگ اولین تراشه ۸ گیگابایتی LPDDR5 را در سال ۲۰۱۸ رونمایی کرد و آن را به تراشه ۱۶ گیگابایتی LPDDR5X بر اساس گره ۱۴ نانومتری در سال ۲۰۲۱ به روز کرد و سرعت پردازش داده تا ۸۵۰۰ مگابیت در ثانیه را ارائه کرد که بیش از ۱٫۳ سریعتر از نسل قبلی برابر است.
شرکت SK Hynix تولید انبوه DRAM موبایل LPDDR5 خود را در مارس ۲۰۲۱ آغاز کرد، در حالی که Micron تراشه‌های LPDDR5 خود را در اوایل سال ۲۰۲۰ تولید کرد که گفته می‌شود در تلفن هوشمند Mi 10 شیائومی استفاده خواهد شد.
منبع: scmp
