به گزارش ساوت چاینا مورنینگ پست، انتظار می‌رود پلت فرم جامع شنجن مرکز ملی نوآوری فناوری نیمه‌هادی نسل سوم از تحقیق و توسعه، طراحی و تولید نمونه اولیه مواد و دستگاه‌های کاربید سیلیکون (SiC) و نیترید گالیوم (GaN) پشتیبانی و حمایت کند.
نیترید گالیوم و کاربید سیلیکون مواد نیمه‌هادی نسل سومی هستند که مزایایی مانند بهره‌وری انرژی بالاتر را ارائه می‌دهند، در حالی که در مقایسه با تراشه‌های سنتی مبتنی بر سیلیکون، اندازه آن‌ها را کاهش می‌دهند. این تراشه‌ها در بخش‌هایی مانند خودروهای الکتریکی کاربرد پیدا کرده‌اند.
مرکز نوآوری، یک مرکز ساخت ویفر ۸ اینچی را برای کار در مقیاس آزمایشی راه‌اندازی خواهد کرد که مراحل فرآیند از بسترها و پیش‌ماده و برآیی (اپیتاکسی) تا تأیید قابلیت اطمینان برای تراشه‌های مورد استفاده در کاربردهای انرژی را پوشش می‌دهد.
همچنین دارای یک مرکز تجزیه و تحلیل و آزمایش برای نیمه‌هادی‌های قدرت و یک پلت فرم خدمات مهندسی است که خود پشتیبانی می‌کند.
این اقدام و ابتکار شنجن در بحبوحه تلاش پکن برای دستیابی به خودکفایی در فناوری، پس از اعمال محدودیت‌های ایالات‌متحده بر صادرات فناوری‌های ساخت تراشه به چین به دلیل نگرانی‌های امنیت ملی، صورت می‌گیرد.
بخش نوپای نسل سوم همچنین به‌عنوان منطقه‌ای در نظر گرفته می‌شود که چین در آن فرصتی برای دور زدن محدودیت‌های ایجاد تراشه‌های مبتنی بر سیلیکون اعمال شده توسط غرب دارد. پلت فرم شنجن بخشی از مرکز ملی نوآوری فناوری نیمه‌هادی نسل سوم است که برای اولین بار در سال ۲۰۲۱ همراه با شعبه‌هایی در نانجینگ، سوژو، پکن، استان شانشی و استان هونان راه‌اندازی شد.
شنجن در سال‌های اخیر تلاش‌های خود را برای پرورش این صنعت افزایش داده است. به عنوان مثال، منطقه گوانگمینگ شهر، سال ۲۰۲۳ طرحی را برای جذب شرکت‌هایی که زیرلایه‌های GaN 6 و ۸ اینچی و ویفرهای هم‌پایه تولید می‌کنند، برای تشکیل صنعت مواد جدید ارائه کرد.
شنجن تا سال ۲۰۲۵، قصد دارد صنعت نیمه‌هادی را توسعه دهد که بتواند ۲۵۰ میلیارد یوان (۳۷٫۵ میلیارد دلار) فروش سالانه داشته باشد، این رقم در سال ۲۰۲۱، ۱۱۰ میلیارد یوان بود و بر اساس برنامه اقدامی است که شهر در سال ۲۰۲۲ ارائه کرد.
منبع: scmp
